大事紀要
年度 大事紀要
2005 開始投入半導體後段製程設備及系統之開發

2006 Robusta®200正式開始金凸塊在南茂科技公司量產(LPI08168, LPI08169)

進入中國大陸高端晶圓級封裝廠宏茂微電子(LPI08172 & LPI08173)
2007 發表Robusta®300並取得SEMI S2驗證(LPI12168)

力鼎精密股份有限公司正式成立

力鼎精密苗栗縣竹南總部廠房落成

300mm UBM(Under Bump Metal)濺鍍系統開發獲經濟部工業局主導性新產品開發計畫補助

2008 Robusta®300進入台積電進行量產試機(LPI12168)

客製300mm原子層沉積(ALD) 機台進入台積電進行先進製程研發(LPI12170)

力鼎精密導入ERP作業系統提昇企業經營效率

力鼎精密投入Caprica 200深矽蝕刻機台開發

2009 Caprica 300深矽蝕刻機台開發獲經濟部工業局主導性新產品開發計畫補助

Lewis330 Etcher進入探微科技進行微機電元件製程開發

Robusta®300 GriFfin 系統開發獲行政院國家科學委員會高科技設備前瞻技術發展計畫補助

2010 客製Robusta®200 GriFfin進入台積固態照明進行量產(LPI08179)

第一台可同機進行200mm與300mm單晶圓濺鍍機 進入群成科技量產(LPI12171)

南茂科技購入第一台Robusta®300正式開始300mm金凸塊量產

發表Caprica 300

2012 Caprica開始投入Deep Silicon Etch and Oxide Etch 蝕刻技術之量產應用並於日月光半導體進行量產驗證(LPI08183)

力鼎精密Robusta®200進入中國大陸高端晶圓級封裝廠江蘇匯成光電進行金凸塊量產(LPI08182)

LPI12168於台積電進行PI wafer Bumping製程開發

客製LPI12176於南韓Semicat進行先進記憶體製程開發

客製濺鍍機於竹北旺矽科技參予Probe Card等非晶圓基材之金屬膜濺鍍

南茂科技購入第十台Robusta®用於TiW / Au, Ti / Cu量產

台積固態照明購入第二台Robusta®300進行先進LED量產(LPI12179)

2013 LPI12168於台積電進行高揮發性基材之濺鍍系統的開發與量產驗證

LPI12168於台積電通過Bumping on PI基材的製程驗證
2014 LPI12168投入InFO之濺鍍系統的開發與量產驗證(Wafer Level Fan Out)

台積電購入第三台Robusta®進入台南廠(LPI12182)

南茂科技購入第十四台Robusta®用於TiW / Au, Ti / Cu 量產

2015 力鼎精密導入ISO9001:2008品質管理系統

LPI12183進入台積電龍潭廠進行Wafer Level Fan-Out (InFO)量產驗證

2016 LPI12168通過台積電使用之多種高揮發性基材之濺鍍系統量產驗證

於台積電台南廠正式進行量產(LPI12182, LPI12168 at BP01)

LPI12168通過台積電7奈米製程晶圓封裝量產機台驗證

南茂科技購入第十六台Robusta用於TiW / Au, Ti / Cu 量產
2017 進入中芯國際集成電路(SMIC)進行TSV製程開發與量產(LPI08190)

運送台積電第五台Robusta進入台南廠(LPI12188)

Robusta®300成為台積電7奈米製程晶圓封裝之主要量產機台(LPI12182, LPI12183)

南茂科技購入GriFfin chambers用於Si-Trench TiW / Au量產

中國大陸高端晶圓級封裝廠江蘇匯成光電購入第三台Robusta進行金凸塊量產(LPI08189)