物理氣相沉積 (濺鍍)

Robusta®200S/300

Robusta®為一全自動、多腔室生產平台。當作為一個完整的物理氣相沉積濺鍍(PVD sputtering)量產設備,Robusta® 配置超高真空等級之物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition)反應室、 高揮發性物質處理(Degas)反應室及超低溫蝕刻(Pre-Sputter Clean)反應室。 Robusta® 可以將多種金屬濺鍍在不同的基材或載板上,例如包括金/鈦(Gold/Titanium-tungsten)、鈦/銅(Titanium/Copper)、鋁銅(Aluminum-Copper)及許多其他金屬,而基材可以是矽晶圓(Silicon)、玻璃基板(Glass)、 氧化矽(Silicon Oxide)、聚亞醯胺(Polyimide)、模封黑膠(Molding compounds)、玻載矽晶圓(Silicon on glass, S-O-G)等等。

Robusta®在先進凸塊(Bumping)製程已經獲得許多客戶高度的評價;Robusta®的高揮發性物質處理(Degas)反應室能有效率的處理各種揮發氣體,同時 Robusta®的超低溫蝕刻(Pre-Sputter Clean)反應室 能迅速降低製程中有機材料的溫度,因此,它是您先進晶圓級封裝量產普及化的最佳夥伴。


Robusta®300 (PVD x3, Degas x1, Pre-sputter clean x1)


Robust®配備以下各主要的腔室:

  1. 大氣環境300mm晶圓傳送系統,同系統亦可配置傳送200mm晶圓。

  2. 真空晶圓傳送系統(mainframe)配以2個大氣到初真空腔體(loadlock), 中央高真空傳送腔室及6個製程反應室介面,彈性搭配的製程反應室及超高速的機械手臂,可以大幅提升產能。

  3. 超高真空金屬濺鍍反應室(PVD chamber),提供平面(blanket deposition),矽深孔(Thru Si Via) 或是絕緣層穿孔 的濺鍍能力,成膜品質與覆蓋率更是與先進半導體設備相同。

  4. 超低溫晶圓表面蝕刻反應室(Pre-clean chamber)運用了磁控活性離子蝕刻技術(MERIE),本腔體的設計可以有效降低蝕刻時因基材所產生的揮發性氣體,以確保優良的蝕刻去除Native Oxide的效果。

  5. 高揮發性物質處理反應室(Degas chamber),可在高真空的環境下以適當的溫度烘烤,將基材本身高揮發性氣體完全除去,同時能達到最佳的產能。