大事纪要
年度 大事紀要
2005 开始投入半导体后段制程设备及系统之开发

2006 Robusta®200正式开始金凸块在南茂科技公司量产(LPI08168, LPI08169)

进入中国大陆高端晶圆级封装厂宏茂微电子(LPI08172 & LPI08173)
2007 发表Robusta®300并取得SEMI S2验证(LPI12168)

力鼎精密股份有限公司正式成立

力鼎精密苗栗县竹南总部厂房落成

300mm UBM(Under Bump Metal)溅镀系统开发获经济部工业局主导性新产品开发计画补助

2008 Robusta®300进入台积电进行量产试机(LPI12168)

客制300mm原子层沉积(ALD)机台进入台积电进行先进制程研发(LPI12170)

力鼎精密导入ERP作业系统提升企业经营效率

力鼎精密投入Caprica 200深矽蚀刻机台开发

2009 Caprica 300深矽蚀刻机台开发获经济部工业局主导性新产品开发计画补助

Lewis330 Etcher进入探微科技进行微机电元件制程开发

Robusta®300 GriFfin 系统开发获行政院国家科学委员会高科技设备前瞻技术发展计画补助

2010 客制Robusta®200GriFfin进入台积固态照明进行量产(LPI08179)

第一台可同机进行200mm与300mm单晶圆溅镀机进入群成科技量产(LPI12171)

南茂科技购入第一台Robusta®300正式开始300毫米金凸块量产

发表Caprica 300

2012 Caprica开始投入Deep Silicon Etch and Oxide Etch蚀刻技术之量产应用并于日月光半导体进行量产验证(LPI08183)

力鼎精密Robusta®200进入中国大陆高端晶圆级封装厂江苏汇成光电进行金凸块量产(LPI08182)

LPI12168于台积电进行PI wafer Bumping制程开发

客制LPI12176于南韩Semicat进行先进记忆体制程开发

客制溅镀机于竹北旺矽科技参予探卡等非晶圆基材之金属膜溅镀

南茂科技购入第十台Robusta®用于TiW / Au,Ti / Cu量产

台积固态照明购入第二台Robusta®300进行先进的LED量产(LPI12179)

2013 LPI12168于台积电进行高挥发性基材之溅镀系统的开发与量产验证

LPI12168于台积电通过B基于PI基材的制程验证
2014 LPI12168投入信息之溅镀系统的开发与量产验证(Wafer Level Fan Out)

台积电购入第三台Robusta®进入台南厂(LPI12182)

南毛科技购入第十四台Robusta®用于TiW / Au,Ti / Cu量产

2015 力鼎精密导入ISO9001:2008品质管理系统

LPI12183进入台积电龙潭厂进行晶圆级扇出(InFO)量产验证

2016 LPI12168通过台积电使用之多种高挥发性基材之溅镀系统量产验证

于台积电台南厂正式进行量产(LPI12182, LPI12168 at BP01)

LPI12168通过台积电7奈米制程晶圆封装量产机台验证

南毛科技购入第十六台Robusta用于TiW / Au,Ti / Cu量产
2017 进入中芯国际集成电路(SMIC)进行TSV制程开发与量产(LPI08190)

运送台积电第五台罗布斯塔进入台南厂(LPI12188)

Robusta®300成为台积电7奈米制程晶圆封装之主要量产机台(LPI12182, LPI12183)

南茂科技购入GriFfin腔用于Si-Trench TiW / Au量产

中国大陆高端晶圆级封装厂江苏汇成光电购入第三台罗布斯塔进行金凸块量产(LPI08189)