物理气相沉积 (溅镀)

Robusta®200S/300

Robusta®为一全自动、多腔室生产平台。当作为一个完整的物理气相沉积溅镀(PVD sputtering)量产设备,Robusta® 配置超高真空等级之物理气相沉积(Physical Vapor Deposition)反应室、 高挥发性物质处理(Degas)反应室及超低温蚀刻(Pre-Sputter Clean)反应室。 Robusta® 可以将多种金属溅镀在不同的基材或载板上,例如包括金/钛(Gold/Titanium-tungsten)、钛/铜(Titanium/Copper)、铝铜(Aluminum-Copper)及许多其他金属,而基材可以是矽晶圆(Silicon)、玻璃基板(Glass)、 氧化矽(Silicon Oxide)、聚亚醯胺(Polyimide)、模封黑胶(Molding compounds)、玻载矽晶圆( Silicon on glass, SOG)等等。

Robusta®在先进凸块(Bumping)制程已经获得许多客户高度的评价;Robusta®的高挥发性物质处理(Degas)反应室能有效率的处理各种挥发气体,同时Robusta®的超低温蚀刻(Pre-Sputter Clean)反应室能迅速降低制程中有机材料的温度,因此,它是您先进晶圆级封装量产普及化的最佳伙伴。


Robusta®300 (PVD x3, Degas x1, Pre-sputter clean x1)


Robust®配备以下各主要的腔室:

                                                                                                                                                      
 1.大气环境300mm晶圆传送系统,同系统亦可配置传送200mm晶圆。

 2.真空晶圆传送系统(mainframe)配以2个大气到初真空腔体(loadlock), 中央高真空传送腔室及6个制程反应室介面,弹性搭配的制程反应室及超高速的机械手臂,可以大幅提升产能。

 3.超高真空金属溅镀反应室(PVD chamber),提供平面(blanket deposition),矽深孔(Thru Si Via) 或是绝缘层穿孔的溅镀能力,成膜品质与覆盖率更是与先进半导体设备相同。

 4.超低温晶圆表面蚀刻反应室(Pre-clean chamber)运用了磁控活性离子蚀刻技术(MERIE),本腔体的设计可以有效降低蚀刻时因基材所产生的挥发性气体,以确保优良的蚀刻去除Native Oxide的效果。

 5. 高挥发性物质处理反应室(Degas chamber),可在高真空的环境下以适当的温度烘烤,将基材本身高挥发性气体完全除去,同时能达到最佳的产能。