会社概要
Leading Precision Inc.（力鼎精密股份有限公司）は、2007年の創業以来、半導体製造装置の開発・製造に特化し、お客様の多様なニーズに応える最適なソリューションをご提供してまいりました。
創業当初は半導体後工程向け受託カスタマイズ装置を中心に事業を展開し、その後、半導体パッケージング、LEDパッケージング、WLCSP（Wafer-Level Chip-Scale Packaging）、TSV（Through-Silicon Via）プロセス向け超高真空スパッタリング装置の開発へと事業領域を拡大いたしました。
現在では、自動物理気相成長（PVD）装置を中核製品とし、先端半導体パッケージング技術に対応した次世代製造装置の研究・開発を積極的に推進しております。
当社は、長年にわたり培ってきた高度な技術力と豊富な実績を礎として、お客様の製造プロセスや用途に応じた最適なカスタマイズ装置をご提供しております。また、厳格な品質基準を維持するため、信頼できるパートナー企業との連携を重視し、徹底した品質管理体制のもと、高品質な製品づくりに取り組んでおります。
今後も、優秀な研究開発チームによる継続的な技術革新と品質向上を通じて、世界中のお客様へ最先端の半導体製造装置と付加価値の高いソリューションをご提供し、半導体産業のさらなる発展に貢献してまいります。
主要事業分野
- 半導体後工程パッケージング： WLCSP、TSV、バンピングプロセス用装置
- 物理気相成長（PVD）： 超高真空スパッタリング装置および薄膜形成装置
- 先端パッケージング技術： Fan-Out、UBM/RDLシード層、Cu Pillarプロセス装置
- カスタマイズ装置・システム： お客様の仕様に合わせた全自動装置の設計・製造
沿革・主要実績
2025年、Robusta 300+の先端パッケージング向けスパッタリング量産ラインへの導入を完了。
放熱性、放電効率および機械的強度の向上を目的としたウエハ裏面金属化（BSM）成膜技術を開発。CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）先端パッケージング技術の重要プロセスに寄与。
5nm後工程パッケージング（バンピングUBM/RDLシード層）の量産需要に対応するため、リピート注文を獲得。第1フェーズの装置納入を完了。
- Robusta 300+が大手顧客の5nmパッケージングCu Bump（UBM/RDLシード層）主力量産装置として採用
- 5nmパッケージングUBM/RDLシード層のリスク生産および評価認定を完了
- 連続超高真空放射加熱ディガス室（MBD 2）が「第26回 経済部中小企業イノベーション研究賞」を受賞
- Robusta 300+が大手ファウンドリの台南先端パッケージング工場にてUBM/RDL主力量産装置に指定
- メンテナンス周期の大幅延期を実現（MTBC 8,000枚を達成）
- 大手顧客がRobusta 300+を採用し、超低インピーダンス製品の量産を開始
- ISO 9001:2015 品質マネジメントシステム認証を取得
- 中芯国際（SMIC）にてTSVプロセスの開発および量産検証を開始（LPI08190）
- 大手ファウンドリ台南工場へ5台目のRobusta装置を納入
- Robusta 300が先端ウエハパッケージング（UBM/RDL）の主力量産装置として認定
- ChipMOS社がSi-Trench TiW/Au量産用にGriFfinチャンバーを購入
- 中国大手先端ウエハパッケージング企業（江蘇彙天）がGold Bump量産用に3台目のRobustaを受注（LPI08189）
- 大手ファウンドリにて高揮発性基板対応スパッタリングシステムの量産検証をパス（LPI12168）
- 同ファウンドリの台南工場にて正式稼働および量産を開始
- LPI12168が同ファウンドリの先端ウエハパッケージング量産装置として認定
- ChipMOS社がTiW/AuおよびTi/Cu量産用に16台目のRobustaシステムを購入
- ISO 9001:2008 品質マネジメントシステムを導入
- 大手ファウンドリ龍潭工場にて統合型ウエハレベルFan-Outの量産検証を開始（LPI12183）
- 大手ファウンドリと共同でウエハレベルFan-Outスパッタリング装置の開発および量産検証に着手（LPI12168）
- 同ファウンドリ台南工場へ3台目のRobusta（LPI12182）を納入
- ChipMOS社がTiW/AuおよびTi/Cu量産用に14台目のRobustaを購入
- 大手ファウンドリにて揮発性基板用スパッタリングシステムの概念実証・開発を推進（LPI12168）
- PI基板バンピングプロセスの評価および検証を通過（LPI12168）
- ASE社にてCapricaのDeep Silicon Etchおよび酸化膜エッチング量産検証を開始（LPI08183）
- 江蘇彙天にてRobusta 200がGold Bump量産稼働（LPI08182）
- 大手ファウンドリにてPIウエハバンピングプロセスの開発を開始（LPI12168）
- 韓国Semicat社へ先端メモリプロセス開発用カスタマイズ装置を納入（LPI12176）
- MPI Corporation（旺硅電子）へプローブカード等非ウエハ基板用スパッタリング装置を納入
- ChipMOS社が10台目のRobustaシステムを購入
- TSMC Solid State Lightingへ先端LED量産用として2台目のRobusta 300を導入（LPI12179）
- TSMC Solid State Lightingにて特注型Robusta 200 GriFfinシステムが量産稼働（LPI08179）
- ChipMore社へ200mm/300mm兼用枚葉式スパッタリング装置を納入し量産開始（LPI12171）
- ChipMOS社が初のRobusta 300を購入し、300mm Gold Bumpの量産を開始
- Caprica 300を正式発表
- Caprica 300 Deep Silicon Etch装置開発が経済部工業局「主導型新製品開発プロジェクト」に採択
- Micro Probe社へMEMS開発用エッチング装置Lewis 330を納入
- Robusta 300 GriFfinシステム開発が行政院国家科学委員会（NSTC）前瞻技術プロジェクトに採択
- 大手ファウンドリにてRobusta 300のプロトタイプ評価を開始（LPI12168）
- 大手ファウンドリの最先端研究用に300mm ALD（原子層堆積）装置を納入（LPI12170）
- 全社的ERPシステムを導入し、業務効率を最適化
- Caprica 200 Deep Silicon Etch装置の研究開発に着手
- Robusta 300を発表し、SEMI S2認証を取得（LPI12168）
- Leading Precision Inc.（領先先進股份有限公司）を正式設立
- 苗栗県竹南に本社および製造工場が完成
- 300mm UBMスパッタリング装置開発が経済部工業局プロジェクトに採択
- ChipMOS社にてRobusta 200がGold Bump量産稼働を開始（LPI08168, LPI08169）
- 中国の先端ウエハパッケージング工場（和隆興微電子）へ装置を納入（LPI08172, LPI08173）
品質方針
当社は「品質至上（Quality First）」の理念を徹底し、ISO 9001:2015認証を取得した厳格な品質管理体制のもとで運用を行っています。当社の4つの行動指針：
精益求精（卓越性の追求）
細部へのこだわりと絶え間ない改善
顧客満足（顧客第一主義）
お客様の成功を支えるパートナーシップ
服務創新（サービス革新）
常に新しい価値を創出する技術改革
全員參與（全員参加）
組織力を最大限に発揮するチームワーク
主要認証・受賞歴
- ISO 9001:2015 品質マネジメントシステム認証
- 第26回 経済部中小企業イノベーション研究賞 — 連続超高真空放射加熱ディガス室（MBD 2）
- SEMI S2 適合認証 — Robustaシリーズ全製品
- 経済部主導型新製品開発プロジェクト 助成対象採択
- 国家科学及技術委員会（NSTC）前瞻技術プロジェクト 採択
製品情報
PVD（物理気相成長 / スパッタリング）装置
Robusta®300+は全自動マルチチャンバー量産プラットフォームです。高生産性を目指して設計されたこのPVDスパッタリング装置は、超高真空PVDスパッタリングチャンバー、マルチウエハ高真空ディガス（Mini-Batch Degas）チャンバー、および超低温プリクリーンチャンバーを備えています。
シリコンウエハ、ガラス、SiO、SiN、PI、PBO、エポキシ成形金型（EMC）、Si-on-Glass（SoG）など、多種多様な基板やキャリア上に、TiW/Au、Ti/Cu、Ti/AlCu、NiV等の高品質金属薄膜を成膜します。
Robusta®300+は、5nm後工程先端パッケージングのバンピング工程において標準量産装置として採用されており、次世代パッケージング量産に最適なソリューションです。
12インチ（300mm）対応EFEM。オプションで8インチ（200mm）ウエハの搬送および処理にもフレキシブルに対応。
大気/粗引きロードロック室2基、中央高真空搬送室、プロセスチャンバー用インターフェース6基、高速デュアルアームロボット（Brooks Leap Frog）を搭載。
ベアウエハへの成膜はもちろん、アスペクト比の高い絶縁層バイア（Via）内においても、前工程と同等の優れた密着膜およびバリア/シード層を形成。
マグネトロン反応性イオンエッチング（MERIE）と静電メカニカルクランプを採用。アウトガスや再付着を抑え、自然酸化膜を確実に除去。
高真空かつ最適温度下で加熱処理を行い、スループットを維持しながら水分や揮発成分を完全に除去。
受託開発・カスタム装置・システム統合
当社のR&Dチームは、真空システムの設計・製造において豊富な実績を持つ経験豊かなエンジニアで構成されています。量産用大型装置から研究開発用の小規模ツールまで、お客様の仕様に応じた全自動装置を完全カスタマイズで設計・製作いたします。
ハードウェア設計にとどまらず、社内のソフトウェアエンジニアが製造ラインに最適化された直感的で使いやすいHMI（操作画面）および制御ソフトを開発します。厳しい納期やご予算の制限下であっても、生産性を最大化する頑丈で信頼性の高い装置をご提案いたします。
主な適用分野
- ウエハレベル・チップサイズ・パッケージ（WLCSP）： 高密度再配線層（RDL）およびファインピッチプロセス
- シリコン貫通ビア（TSV）： 3D三次元積層（3D IC）パッケージング技術
- バンピング工程： Cu Bump、Gold Bump、およびUBM/RDLシード層成膜
- LEDパッケージング： 先端高輝度LEDの量産成膜
- 先端メモリプロセス： 大手メモリメーカーとの共同開発および装置統合
お問い合わせ
- 社名: Leading Precision Inc.（領先先進股份有限公司）
- 統一編號（統一番号）: 28072066
35059 台湾苗栗縣竹南鎮科義路39號
- TEL: +886-37-779899
- FAX: +886-37-779699
担当: 尹先生 / 王先生
内線: +886-37-779899 #6161 / #1161