公司簡介
力鼎精密股份有限公司（Leading Precision Inc.）成立於 2007 年，為台灣半導體製造設備製造與服務的專業廠商。公司創立初期，主要以提供半導體後段封裝廠所需之客製化設備為核心業務，隨後將業務擴展至應用於半導體後段封裝、LED 封裝以及先進晶圓級封裝（WLCSP）、矽穿孔（TSV）等製程之超高真空濺鍍系統。目前公司產品包括全自動物理氣相沉積（PVD）設備以及客製化設備與系統，持續致力於半導體後段封裝設備的研發與創新。
憑藉多年來在半導體後段製程設備領域累積的豐富經驗，我們有信心為客戶提供高效能的客製化設備。為了持續滿足客戶的嚴格要求並符合最高標準，我們不斷與客戶及供應商保持緊密的合作夥伴關係。展望未來，在優秀研發團隊的支持下，我們將持續追求品質精進，致力提供最佳的設備與服務。
核心業務領域
- 半導體後段封裝：晶圓級封裝（WLCSP）、矽穿孔（TSV）、凸塊（Bumping）製程設備
- 物理氣相沉積（PVD）：超高真空濺鍍系統、金屬薄膜沉積設備
- 先進封裝技術：Fan-Out、UBM/RDL 種子層、銅柱（Cu Pillar）等製程
- 客製化設備與系統：依據客戶需求量身打造之自動化設備
公司沿革
於先進封裝濺鍍製程中導入「Robusta 300+」設備。
BSM（背面金屬化）技術係於晶片背面形成金屬層，藉以提升散熱性能、電源供應及機械強度，為 CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）封裝中的關鍵製程。
因應 5nm 後段封裝凸塊 UBM/RDL 種子層量產需求，第一期訂單已完成全數交機。
- Robusta 300+ 獲客戶選為 5nm 封裝銅凸塊（Cu Bump、UBM/RDL 種子層）主要量產設備。
- 參與 5nm 封裝 UBM/RDL 種子層之風險試產與認證。
- 連續式超高真空輻射加熱脫氣反應室（MBD 2）榮獲「第 26 屆中小企業創新研究獎」。
- Robusta 300+ 成為台灣晶圓代工龍頭廠台南先進封裝廠 UBM/RDL 之主要量產設備。
- 創下 MTBC 8,000 片生產紀錄，大幅延長保養週期。
- 使用 Robusta 300+ 為主要客戶生產具備超低阻抗特性之產品。
- 通過 ISO 9001:2015 品質管理系統驗證與認證。
- 進入中芯國際（SMIC）開展 TSV 製程開發與量產（LPI08190）。
- 向台灣晶圓代工龍頭廠台南廠交付第 5 台 Robusta 設備。
- Robusta 300 成為台灣晶圓代工龍頭廠高階製程晶圓封裝（UBM/RDL）之主要量產設備。
- 南茂科技（ChipMOS）採購 GriFfin 腔體用於 Si-Trench TiW/Au 量產。
- 中國高階晶圓級封裝廠匯成光電採購第 3 台 Robusta 用於金凸塊量產（LPI08189）。
- LPI12168 通過台灣晶圓代工龍頭廠多種高揮發性基板濺鍍系統量產驗證。
- 於台灣晶圓代工龍頭廠台南廠正式投入量產。
- LPI12168 通過台灣晶圓代工龍頭廠高階製程晶圓封裝量產設備驗證。
- 南茂科技採購第 16 台 Robusta 用於 TiW/Au、Ti/Cu 量產。
- 導入 ISO 9001:2008 品質管理系統。
- LPI12183 於台灣晶圓代工龍頭廠龍潭廠參與整合型晶圓級扇出型（Fan-Out）量產驗證。
- LPI12168 投入台灣晶圓代工龍頭廠整合型晶圓級扇出型封裝濺鍍系統研發與量產驗證。
- 台灣晶圓代工龍頭廠為台南廠採購第 3 台 Robusta（LPI12182）。
- 南茂科技採購第 14 台 Robusta 用於 TiW/Au、Ti/Cu 量產。
- LPI12168 於台灣晶圓代工龍頭廠進行高揮發性基板濺鍍系統之開發與量產驗證。
- LPI12168 於台灣晶圓代工龍頭廠通過 PI 基板凸塊製程驗證。
- Caprica 展開深矽蝕刻及氧化膜蝕刻技術之量產應用，並於日月光（ASE）進行量產驗證（LPI08183）。
- Robusta 200 進入中國高階晶圓級封裝廠匯成光電，投入金凸塊量產（LPI08182）。
- LPI12168 於台灣晶圓代工龍頭廠從事 PI 晶圓凸塊製程開發。
- 客製化 LPI12176 導入韓國 Semicat 用於先進記憶體製程開發。
- 竹北旺矽科技導入客製化濺鍍設備，參與探針卡等非晶圓基板之金屬薄膜濺鍍。
- 南茂科技採購第 10 台 Robusta 用於 TiW/Au、Ti/Cu 量產。
- 台積固態照明採購第 2 台 Robusta 300 用於先進 LED 量產（LPI12179）。
- 客製化 Robusta 200 GriFfin 於台積固態照明投入量產（LPI08179）。
- 首台兼具 200mm 與 300mm 晶圓處理能力之單晶圓濺鍍設備於群成科技投入量產（LPI12171）。
- 南茂科技採購首台 Robusta 300，正式啟動 300mm 金凸塊量產。
- 發表 Caprica 300 設備。
- Caprica 300 深矽蝕刻設備開發獲經濟部工業局「主導性新產品開發計劃」補助。
- Lewis 330 蝕刻機導入探微科技用於 MEMS 元件製程開發。
- Robusta 300 GriFfin 系統開發獲行政院國科會「高科技設備前瞻技術開發計劃」補助。
- Robusta 300 於台灣晶圓代工龍頭廠投入量產試運轉（LPI12168）。
- 客製化 300mm 原子層沉積（ALD）設備導入台灣晶圓代工龍頭廠用於先進製程研發（LPI12170）。
- 導入 ERP 系統以提升企業營運管理效率。
- 啟動 Caprica 200 深矽蝕刻設備開發。
- 發表 Robusta 300 並取得 SEMI S2 認證（LPI12168）。
- 力鼎精密股份有限公司正式成立。
- 苗栗縣竹南總部廠房興建完成。
- 300mm UBM（凸塊下金屬層）濺鍍系統開發獲經濟部工業局「主導性新產品開發計劃」補助。
- Robusta 200 於南茂科技正式啟動金凸塊量產（LPI08168、LPI08169）。
- 進入中國高階晶圓級封裝廠宏茂微電子（LPI08172、LPI08173）。
品質政策
我們對品質懷抱堅定不移的堅持，建構了完善的品質管理體系，並榮獲 ISO 9001:2015 國際品質認證。以下為我們的四項核心品質政策：
品質卓越
精益求精，持續改善
客戶滿意
成就客戶，共創雙贏
服務創新
追求極致，永無止境
全員參與
齊心協力，順暢溝通
主要認證與榮譽
- ISO 9001:2015 品質管理系統認證
- 第 26 屆中小企業創新研究獎 — 連續式超高真空輻射加熱脫氣反應室（MBD 2）
- SEMI S2 認證 — Robusta 系列產品
- 經濟部工業局主導性新產品開發計劃補助
- 行政院國科會高科技設備前瞻技術開發計劃補助
產品資訊
物理氣相沉積（濺鍍設備）
Robusta® 300+ 為全自動多腔體生產平台。作為一套完整的物理氣相沉積濺鍍（PVD sputtering）量產設備，Robusta® 300+ 配備超高真空物理氣相沉積（PVD）反應室、多片式高真空高揮發性物質處理（Mini-Batch Degas）反應室以及超低溫蝕刻（Super Low Temp. Pre-Clean）反應室。
Robusta® 300+ 能在不同的基板或載體上濺鍍多種金屬，包括 TiW/Au、Ti/Cu、Ti/AlCu、NiV 等。適用基板包含矽晶圓、玻璃基板、氧化矽（SiO）、氮化矽（SiN）、聚醯亞胺（PI）、PBO、環氧模塑料（EMC）及玻璃上矽（SoG）等。
Robusta® 300+ 為 5nm 後段先進封裝凸塊（Bumping）的唯一量產標準濺鍍設備，是推進先進晶圓級封裝量產的最佳合作夥伴。
12 吋設備前端模組，同時支援 8 吋晶圓之傳送與處理。
主機配備 2 個常壓至粗真空負載鎖定腔（Loadlock）、中央高真空傳送腔，以及 6 個標準製程腔體介面，提供彈性的腔體配置與超高速度雙臂機械手（Brooks、Leap Frog）。
PVD 腔體提供高品質的平面或高深寬比（絕緣層穿孔）黏著金屬層與電鍍種子層（Barrier/Seed），成膜品質與覆蓋率媲美前段先進半導體設備。
Super Low Temp. Pre-Clean 腔體採用磁控強化反應離子蝕刻（MERIE）技術。透過壓爪（Clamping Ring）設計，可有效減少蝕刻時基板揮發氣體與氧化物之反濺鍍，確保優異的自然氧化膜清除效能。
Mini-Batch Degas 腔體在高真空環境下以適當溫度烘烤，能徹底去除基板本身的高揮發性氣體與水氣，同時達到最佳的產能表現。
客製化設備與系統
我們的研發團隊由業界資深專家組成，在真空設備設計與製造領域具備深厚經驗。無論是量產型或實驗室等級設備，我們皆能為客戶提供專業的客製化自動化設備與系統解決方案。
在客製化服務中，我們不僅投入硬體工程團隊依需求設計設備，更配備軟體工程團隊開發專屬的人機介面與程式。我們高度重視客製化彈性，能在有限的時間與預算內，精準滿足客戶的特殊規格需求，提升生產效能。
應用領域
- 晶圓級封裝（WLCSP）：高密度佈線連接與微細節距 RDL 製程
- 矽穿孔（TSV）：3D IC 垂直整合封裝技術
- 凸塊製程（Bumping）：銅凸塊（Cu Bump）、金凸塊（Gold Bump）、UBM/RDL 種子層
- LED 封裝：先進 LED 量產製程應用
- 先進記憶體製程：與國際大廠共同開發之記憶體應用
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