公司簡介
力鼎精密股份有限公司（Leading Precision Inc.）成立於 2007 年，為台灣半導體製造設備製造與服務的專業廠商。公司創立初期，主要以提供半導體後段封裝廠所需之客製化設備為核心業務，隨後將業務擴展至應用於半導體後段封裝、LED 封裝以及先進晶圓級封裝（WLCSP）、矽穿孔（TSV）等製程之超高真空濺鍍系統。目前公司產品包括全自動物理氣相沉積（PVD）設備以及客製化設備與系統，持續致力於半導體後段封裝設備的研發與創新。
憑藉多年來在半導體後段製程設備領域累積的豐富經驗，我們有信心為客戶提供高效能的客製化設備。為了持續滿足客戶的嚴格要求並符合最高標準，我們不斷與客戶及供應商保持緊密的合作夥伴關係。展望未來，在優秀研發團隊的支持下，我們將持續追求品質精進，致力提供最佳的設備與服務。
核心業務領域
- 半導體後段封裝：晶圓級封裝（WLCSP）、矽穿孔（TSV）、凸塊（Bumping）製程設備
- 物理氣相沉積（PVD）：超高真空濺鍍系統、金屬薄膜沉積設備
- 先進封裝技術：Fan-Out、UBM/RDL 種子層、銅柱（Cu Pillar）等製程
- 客製化設備與系統：依據客戶需求量身打造之自動化設備
公司沿革
於先進封裝濺鍍製程中導入「Robusta 300+」設備。
BSM（背面金屬化）技術係於晶片背面形成金屬層，藉以提升散熱性能、電源供應及機械強度，為 CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）封裝中的關鍵製程。
因應 5nm 後段封裝凸塊 UBM/RDL 種子層量產需求，第一期訂單已完成全數交機。
- Robusta 300+ 獲客戶選為 5nm 封裝銅凸塊（Cu Bump、UBM/RDL 種子層）主要量產設備。
- 參與 5nm 封裝 UBM/RDL 種子層之風險試產與認證。
- 連續式超高真空輻射加熱脫氣反應室（MBD 2）榮獲「第 26 屆中小企業創新研究獎」。
- Robusta 300+ 成為台灣晶圓代工龍頭廠台南先進封裝廠 UBM/RDL 之主要量產設備。
- 創下 MTBC 8,000 片生產紀錄，大幅延長保養週期。
- 使用 Robusta 300+ 為主要客戶生產具備超低阻抗特性之產品。
- 通過 ISO 9001:2015 品質管理系統驗證與認證。
- 進入中芯國際（SMIC）開展 TSV 製程開發與量產（LPI08190）。
- 向台灣晶圓代工龍頭廠台南廠交付第 5 台 Robusta 設備。
- Robusta 300 成為台灣晶圓代工龍頭廠高階製程晶圓封裝（UBM/RDL）之主要量產設備。
- 南茂科技（ChipMOS）採購 GriFfin 腔體用於 Si-Trench TiW/Au 量產。
- 中國高階晶圓級封裝廠匯成光電採購第 3 台 Robusta 用於金凸塊量產（LPI08189）。
- LPI12168 通過台灣晶圓代工龍頭廠多種高揮發性基板濺鍍系統量產驗證。
- 於台灣晶圓代工龍頭廠台南廠正式投入量產。
- LPI12168 通過台灣晶圓代工龍頭廠高階製程晶圓封裝量產設備驗證。
- 南茂科技採購第 16 台 Robusta 用於 TiW/Au、Ti/Cu 量產。
- 導入 ISO 9001:2008 品質管理系統。
- LPI12183 於台灣晶圓代工龍頭廠龍潭廠參與整合型晶圓級扇出型（Fan-Out）量產驗證。
- LPI12168 投入台灣晶圓代工龍頭廠整合型晶圓級扇出型封裝濺鍍系統研發與量產驗證。
- 台灣晶圓代工龍頭廠為台南廠採購第 3 台 Robusta（LPI12182）。
- 南茂科技採購第 14 台 Robusta 用於 TiW/Au、Ti/Cu 量產。
- LPI12168 於台灣晶圓代工龍頭廠進行高揮發性基板濺鍍系統之開發與量產驗證。
- LPI12168 於台灣晶圓代工龍頭廠通過 PI 基板凸塊製程驗證。
- Caprica 展開深矽蝕刻及氧化膜蝕刻技術之量產應用，並於日月光（ASE）進行量產驗證（LPI08183）。
- Robusta 200 進入中國高階晶圓級封裝廠匯成光電，投入金凸塊量產（LPI08182）。
- LPI12168 於台灣晶圓代工龍頭廠從事 PI 晶圓凸塊製程開發。
- 客製化 LPI12176 導入韓國 Semicat 用於先進記憶體製程開發。
- 竹北旺矽科技導入客製化濺鍍設備，參與探針卡等非晶圓基板之金屬薄膜濺鍍。
- 南茂科技採購第 10 台 Robusta 用於 TiW/Au、Ti/Cu 量產。
- 台積固態照明採購第 2 台 Robusta 300 用於先進 LED 量產（LPI12179）。
- 客製化 Robusta 200 GriFfin 於台積固態照明投入量產（LPI08179）。
- 首台兼具 200mm 與 300mm 晶圓處理能力之單晶圓濺鍍設備於群成科技投入量產（LPI12171）。
- 南茂科技採購首台 Robusta 300，正式啟動 300mm 金凸塊量產。
- 發表 Caprica 300 設備。
- Caprica 300 深矽蝕刻設備開發獲經濟部工業局「主導性新產品開發計劃」補助。
- Lewis 330 蝕刻機導入探微科技用於 MEMS 元件製程開發。
- Robusta 300 GriFfin 系統開發獲行政院國科會「高科技設備前瞻技術開發計劃」補助。
- Robusta 300 於台灣晶圓代工龍頭廠投入量產試運轉（LPI12168）。
- 客製化 300mm 原子層沉積（ALD）設備導入台灣晶圓代工龍頭廠用於先進製程研發（LPI12170）。
- 導入 ERP 系統以提升企業營運管理效率。
- 啟動 Caprica 200 深矽蝕刻設備開發。
- 發表 Robusta 300 並取得 SEMI S2 認證（LPI12168）。
- 力鼎精密股份有限公司正式成立。
- 苗栗縣竹南總部廠房興建完成。
- 300mm UBM（凸塊下金屬層）濺鍍系統開發獲經濟部工業局「主導性新產品開發計劃」補助。
- Robusta 200 於南茂科技正式啟動金凸塊量產（LPI08168、LPI08169）。
- 進入中國高階晶圓級封裝廠宏茂微電子（LPI08172、LPI08173）。
品質政策
我們對品質懷抱堅定不移的堅持，建構了完善的品質管理體系，並榮獲 ISO 9001:2015 國際品質認證。以下為我們的四項核心品質政策：
品質卓越
精益求精，持續改善
客戶滿意
成就客戶，共創雙贏
服務創新
追求極致，永無止境
全員參與
齊心協力，順暢溝通
主要認證與榮譽
- ISO 9001:2015 品質管理系統認證
- 第 26 屆中小企業創新研究獎 — 連續式超高真空輻射加熱脫氣反應室（MBD 2）
- SEMI S2 認證 — Robusta 系列產品
- 經濟部工業局主導性新產品開發計劃補助
- 行政院國科會高科技設備前瞻技術開發計劃補助
產品資訊
物理氣相沉積（濺鍍設備）
Robusta® 300+ 為叢集式全自動多腔體生產平台，係專為先進封裝與異質整合量產打造的物理氣相沉積（PVD sputtering）設備。本機台配備超高真空 PVD 腔室、超高真空多片式高揮發性物質清除腔室（Mini-Batch Degas）及超低溫預清洗蝕刻腔室（Super Low Temp. Pre-Clean）。
Robusta® 300+ 具備卓越的材料相容性，可在矽晶圓、玻璃基板/載板、氧化矽（SiO）、氮化矽（SiN）、聚醯亞胺（PI）、PBO、環氧模塑料（EMC）及玻璃上矽（SoG）等多種基板與載體上，精確濺鍍 TiW/Au、Ti/Cu、AlCu/Ti/NiV/Au 等金屬薄膜。
作為 5nm、3nm、2nm 及 1.4nm 先進晶圓製造後段封裝的主力標準濺鍍設備，Robusta® 300+ 更是全球首台通過 5nm 晶圓封裝凸塊（Bumping）流片驗證的生產機台。面對日益多元的異質整合晶圓，Robusta® 300+ 提供更寬廣且先進的製程彈性，是推動晶圓級先進封裝邁向量產的最佳戰略夥伴。此外，機台完全符合先進半導體廠的自動化規範，其上下料與製程數據記錄皆能完美對接大數據分析的需求。
FOUP 既晶圓傳送模組，提供高速傳送晶圓至Loadlock Chamber and Aligner之雙臂機械手臂，對於 異質整合之翹曲及厚重晶圓冋有解決方案
主機配備 2 個常壓至粗真空負載腔室（Loadlock）、 中央高真空傳送腔室，以及 6 個標準製程腔體安裝介面，提供彈性的腔體配置與超高速度雙臂機械手，業界率先使用真空雙層機械手臂，提供最高效晶圓交換速率，對於異質整合之過重與翹曲晶圓皆有解決方案。
超高真空 PVD 金屬濺鍍腔室可提供高品質的阻障/種子層（Barrier/Seed）與背金（Back Side Metal, BSM）散熱層，成膜品質媲美前段先進半導體設備。目前 Robusta® 300+ 已成為先進封裝與高階異質整合晶片背金（BSM）的主力量產設備；針對其他封裝製程所需的各式金屬薄膜，亦皆備有完善的最佳已知方法（BKM）。
超低溫預清洗（Super Low Temp. Pre-Clean）腔室採用磁控強化反應離子蝕刻（MERIE）技術。透過專利晶圓壓環（Clamping Ring）設計，能有效降低各類異質整合晶圓的製程溫度，並大幅減少蝕刻過程中的氣體揮發。本設備已在主要先進封裝大廠獲得量產驗證，可提供極佳且穩定的自然氧化層清除效能。此外，本腔室無需進行任何形式的 Dummy 試鍍（Pasting），能有效避免因晶圓表面材質轉換所引發的熱機（Burn-in）與機台保養（PM）需求。
超高真空多片式 Mini-Batch Degas 腔室可在超高真空環境下進行可變溫度烘烤，並配備高效能氣體抽除幫浦，能在最短時間內將揮發的水蒸氣與有機溶劑徹底排除。本系統可精準去除異質整合晶圓本身蘊含的水分與有機雜質，特別適用於含有巨量揮發氣體、多層 RDL（再配載層）的異質整合晶圓；同時，多片式平行處理架構亦實現了最佳的產能（Throughput）表現。
客製化設備與系統
我們的研發團隊由業界資深專家組成，在真空設備設計與製造領域具備深厚經驗。無論是量產型或實驗室等級設備，我們皆能為客戶提供專業的客製化自動化設備與系統解決方案。
在客製化服務中，我們不僅投入硬體工程團隊依需求設計設備，更配備軟體工程團隊開發專屬的人機介面與程式。我們高度重視客製化彈性，能在有限的時間與預算內，精準滿足客戶的特殊規格需求，提升生產效能。
應用領域
- 晶圓級封裝（WLCSP）：高密度佈線連接與微細節距 RDL 製程
- 矽穿孔（TSV）：3D IC 垂直整合封裝技術
- 凸塊製程（Bumping）：銅凸塊（Cu Bump）、金凸塊（Gold Bump）、UBM/RDL 種子層
- LED 封裝：先進 LED 量產製程應用
- 先進記憶體製程：與國際大廠共同開發之記憶體應用
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- 公司名稱：力鼎精密股份有限公司
- 英文名稱：Leading Precision Inc.
- 統一編號：28072066
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（郵遞區號：35059）
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